Eintrag weiter verarbeiten
An electron mobility model for ultra-thin gate-oxide MOSFETs including the contribution of remote scattering mechanisms
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Semiconductor Science and Technology |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 22, 2007, 4, S. 348-353 |
Format: | E-Article |
Język: | Unbestimmt |
Wydane: |
IOP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |