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An electron mobility model for ultra-thin gate-oxide MOSFETs including the contribution of remote scattering mechanisms
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Semiconductor Science and Technology |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 22, 2007, 4, S. 348-353 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
IOP Publishing
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Schlagwörter: |