Eintrag weiter verarbeiten
An electron mobility model for ultra-thin gate-oxide MOSFETs including the contribution of remote scattering mechanisms
Uloženo v:
Název časopisu: | Semiconductor Science and Technology |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductor Science and Technology, 22, 2007, 4, s. 348-353 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | Neurčité |
vydáno v: |
IOP Publishing
|
Předměty: |