Eintrag weiter verarbeiten
Three-dimensional distribution of Al in high-k metal gate: Impact on transistor voltage threshold
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 100, 2012, 20 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |