Eintrag weiter verarbeiten
Impact of active layer design on InGaN radiative recombination coefficient and LED performance
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 111, 2012, 6 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |