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Impact of active layer design on InGaN radiative recombination coefficient and LED performance
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 111, 2012, 6 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |