Eintrag weiter verarbeiten
Impact of active layer design on InGaN radiative recombination coefficient and LED performance
Uloženo v:
Název časopisu: | Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 111, 2012, 6 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |