Eintrag weiter verarbeiten
Removal of end-of-range defects in BF+2 implanted (111)Si by the grain growth of thin NiS2 overlayer
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 69, 1991, 10, S. 7322-7324 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |