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Removal of end-of-range defects in BF+2 implanted (111)Si by the grain growth of thin NiS2 overlayer
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 69, 1991, 10, S. 7322-7324 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |