Eintrag weiter verarbeiten
Removal of end-of-range defects in BF+2 implanted (111)Si by the grain growth of thin NiS2 overlayer
Uloženo v:
Název časopisu: | Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 69, 1991, 10, s. 7322-7324 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |