Eintrag weiter verarbeiten
Novel annealing scheme for fabricating high-quality Ti-silicided shallow n+p junction by P+ implantation into thin Ti films on Si substrate
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Applied Physics Letters, 60, 1992, 13, s. 1579-1581 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |