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Novel annealing scheme for fabricating high-quality Ti-silicided shallow n+p junction by P+ implantation into thin Ti films on Si substrate
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Applied Physics Letters, 60, 1992, 13, S. 1579-1581 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |