Eintrag weiter verarbeiten
Investigation on High-κ Dielectric for Low Leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT Device, Using Material Selection Methodologies
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Semiconductors |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductors, 52, 2018, 4, S. 420-430 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
Pleiades Publishing Ltd
|
Hasła przedmiotowe: |