Eintrag weiter verarbeiten
Investigation on High-κ Dielectric for Low Leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT Device, Using Material Selection Methodologies
Uloženo v:
Název časopisu: | Semiconductors |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Semiconductors, 52, 2018, 4, s. 420-430 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
Pleiades Publishing Ltd
|
Předměty: |