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Design of Drain-Extended MOS Devices Using RESURF Techniques for High Switching Performance and Avalanche Reliability
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Access |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | IEEE Access, 9, 2021, S. 155370-155379 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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Schlagwörter: |