Eintrag weiter verarbeiten
Effects of Channel Implant Variation on Radiation-Induced Edge Leakage Currents in n-Channel MOSFETs
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | IEEE Transactions on Nuclear Science |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, S. 1-1 |
Format: | E-Article |
Język: | Unbestimmt |
Wydane: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
|
Hasła przedmiotowe: |