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Effects of Channel Implant Variation on Radiation-Induced Edge Leakage Currents in n-Channel MOSFETs
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Transactions on Nuclear Science |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, S. 1-1 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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Schlagwörter: |