Eintrag weiter verarbeiten
A PHYSICAL MODEL FOR THE HOT‐CARRIER INDUCED DEGRADATION OF LDD‐PMOS TRANSISTOR AND ITS EXPERIMENTAL VERIFICATION
Uloženo v:
Název časopisu: | COMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering |
---|---|
Personen und Körperschaften: | |
In: | COMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, 12, 1993, 4, s. 541-552 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
Emerald
|
Předměty: |