Eintrag weiter verarbeiten
Characterization of silicided shallow n+p junctions formed by P+ implantation into thin Ti films on Si substrates
Uloženo v:
Název časopisu: | Solid-State Electronics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Solid-State Electronics, 35, 1992, 10, s. 1535-1542 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
Elsevier BV
|
Předměty: |