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Characterization of silicided shallow n+p junctions formed by P+ implantation into thin Ti films on Si substrates
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Solid-State Electronics |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Solid-State Electronics, 35, 1992, 10, S. 1535-1542 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Elsevier BV
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Schlagwörter: |