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Comparison of interface-state generation by 25-keV electron beam irradiation in p-type and n-type MOS capacitors
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Applied Physics Letters, 27, 1975, 2, S. 61-63 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |