Eintrag weiter verarbeiten
Degradation and phase noise of InAlN/AlN/GaN heterojunction field effect transistors: Implications for hot electron/phonon effects
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 101, 2012, 10 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |