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Degradation and phase noise of InAlN/AlN/GaN heterojunction field effect transistors: Implications for hot electron/phonon effects
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 101, 2012, 10 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |