Eintrag weiter verarbeiten
Improved quantum efficiency in InGaN light emitting diodes with multi-double-heterostructure active regions
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 101, 2012, 4, S. 041115 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |