Eintrag weiter verarbeiten
Improved quantum efficiency in InGaN light emitting diodes with multi-double-heterostructure active regions
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 101, 2012, 4, s. 041115 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |