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A correlation between crystalline qualities and growth parameters in GaAs on Si grown by molecular-beam epitaxy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | Journal of Applied Physics, 64, 1988, 6, S. 3295-3297 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |