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Atomic transport and integrity of Al2O3(2.0nm)∕HfO2(2.5nm) gate stacks on Si
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 90, 2007, 5 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |