Eintrag weiter verarbeiten
New excimer-laser-crystallization method for producing large-grained and grain boundary-location-controlled Si films for thin film transistors
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Applied Physics Letters, 68, 1996, 11, s. 1513-1515 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |