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New excimer-laser-crystallization method for producing large-grained and grain boundary-location-controlled Si films for thin film transistors
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Applied Physics Letters, 68, 1996, 11, S. 1513-1515 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |