Eintrag weiter verarbeiten
Improved brightness of 380 nm GaN light emitting diodes through intentional delay of the nucleation island coalescence
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 81, 2002, 11, s. 1940-1942 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |