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Improved brightness of 380 nm GaN light emitting diodes through intentional delay of the nucleation island coalescence
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 81, 2002, 11, S. 1940-1942 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |