Eintrag weiter verarbeiten
Strained-Si/SiGe-on-insulator inversion layers: The role of strained-Si layer thickness on electron mobility
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Applied Physics Letters, 80, 2002, 22, S. 4160-4162 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |