Eintrag weiter verarbeiten
Strained-Si/SiGe-on-insulator inversion layers: The role of strained-Si layer thickness on electron mobility
Uloženo v:
Název časopisu: | Applied Physics Letters |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Applied Physics Letters, 80, 2002, 22, s. 4160-4162 |
Formát: | Článek |
Jazyk: | angličtina |
vydáno v: |
AIP Publishing
|
Předměty: |