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Influence of Triangular Defects on the Electrical Characteristics of 4H-SiC Devices
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Materials Science Forum |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Materials Science Forum, 924, 2018, S. 164-167 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Trans Tech Publications, Ltd.
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Schlagwörter: |