Eintrag weiter verarbeiten
High-Mobility SiC MOSFETs Using a Thin-SiO2/Al2O3 Gate Stack
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Materials Science Forum |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , |
In: | Materials Science Forum, 924, 2018, S. 494-497 |
Format: | E-Article |
Język: | Unbestimmt |
Wydane: |
Trans Tech Publications, Ltd.
|
Hasła przedmiotowe: |