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Dynamical Simulations of Dry Oxidation and NO Annealing of SiO2/4H-SiC Interface on C-Face at 1500K: From First Principles
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Materials Science Forum |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | Materials Science Forum, 645-648, 2010, S. 483-486 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Trans Tech Publications, Ltd.
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Schlagwörter: |