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The Ferroelectric Characteristics of Ba(Zr0.1Ti0.9)O3 Thin Films under Post-Annealing Treatment for Applications in Nonvolatile Memory Devices
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Advanced Materials Research |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Advanced Materials Research, 239-242, 2011, S. 895-898 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Trans Tech Publications, Ltd.
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Schlagwörter: |