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Role of surface segregation in formation of abrupt interfaces in Si/Si1−x Gex heterocompositions grown by molecular-beam epitaxy with combined sources
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Semiconductors |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Semiconductors, 36, 2002, 2, S. 191-196 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Pleiades Publishing Ltd
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Schlagwörter: |