Eintrag weiter verarbeiten
Research on the Combined Effects of Ionization and Displacement Defects in NPN Transistors Based on Deep Level Transient Spectroscopy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Transactions on Nuclear Science |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | IEEE Transactions on Nuclear Science, 62, 2015, 2, S. 555-564 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
|
Schlagwörter: |