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Low-Dispersion, High-Voltage, Low-Leakage GaN HEMTs on Native GaN Substrates
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Transactions on Electron Devices |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , , , |
In: | IEEE Transactions on Electron Devices, 65, 2018, 7, S. 2939-2947 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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Schlagwörter: |