Eintrag weiter verarbeiten
Carrier confinement potential in quantum-well wires fabricated by implantation-enhanced interdiffusion in the GaAs-Ga1−xAlxAs system
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Physical Review B |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Physical Review B, 36, 1987, 6, S. 3243-3246 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
American Physical Society (APS)
|