Nourbakhsh, A.(2016). MoS2 Field-Effect Transistor with Sub-10 nm Channel Length. Nano Letters, 16(12), 7798-7806. doi:10.1021/acs.nanolett.6b03999
Bitte überprüfen Sie diese Angaben auf Richtigkeit, bevor Sie sie in Ihre Arbeit aufnehmen.
APA Zitierstil