Eintrag weiter verarbeiten
Novel effects of heating rate on the activation/recrystallization of boron-implanted Si substrates
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Solid-State Electronics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , |
In: | Solid-State Electronics, 35, 1992, 7, S. 969-973 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
Elsevier BV
|
Hasła przedmiotowe: |