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Accurate Extraction of the Trap Depth from RTS Noise Data by Including Poly Depletion Effect and Surface Potential Variation in MOSFETs
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEICE Transactions on Electronics |
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Personen und Körperschaften: | , , , |
In: | IEICE Transactions on Electronics, E90-C, 2007, 5, S. 968-972 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
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Schlagwörter: |