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High mobility, selectively doped InP/GaInAs grown by organometallic vapor phase epitaxy
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Applied Physics Letters, 51, 1987, 21, S. 1735-1737 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |