Eintrag weiter verarbeiten
Investigation of nitride lateral Schottky barrier diodes based on InGaN channel heterostructures
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | AIP Advances |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , |
In: | AIP Advances, 10, 2020, 1 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |