Eintrag weiter verarbeiten
Characterization of breakdown phenomena in light emitting silicon n+p diodes
Zapisane w:
Tytuł czasopisma: | Journal of Applied Physics |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , |
In: | Journal of Applied Physics, 84, 1998, 5, S. 2953-2959 |
Format: | E-Article |
Język: | Englisch |
Wydane: |
AIP Publishing
|
Hasła przedmiotowe: |