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Degradation in InAlN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors as monitored by low-frequency noise measurements: Hot phonon effects
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Physics Letters |
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Personen und Körperschaften: | , , , , , , |
In: | Applied Physics Letters, 99, 2011, 6 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |