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Generation of deep levels in silicon under posthydrogen-plasma thermal anneal
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 77, 1995, 6, S. 2819-2821 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |