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Effects of single-layer Shockley stacking faults on the transport properties of high-purity semi-insulating 4H–SiC
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Journal of Applied Physics |
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Personen und Körperschaften: | , |
In: | Journal of Applied Physics, 108, 2010, 1 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
AIP Publishing
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Schlagwörter: |